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Datasheet > 逻辑 > 栅极> CLVC1G3208IDCKRQ1
CLVC1G3208IDCKRQ1 PDF预览

CLVC1G3208IDCKRQ1

更新时间： 2024-09-16 12:50:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
11页 380K
描述
SINGLE 3-INPUT POSITIVE OR-AND GATE

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CLVC1G3208IDCKRQ1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP6,.08针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.75系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e4
长度：2 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：OR-AND GATE最大I（ol）：0.032 A
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：3端子数量：6
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP6,.08封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260最大电源电流（ICC）：0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：17.5 ns传播延迟（tpd）：17.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

CLVC1G3208IDCKRQ1 数据手册

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SN74LVC1G3208-Q1  
www.ti.com  
SCES822 –DECEMBER 2010  
SINGLE 3-INPUT POSITIVE OR-AND GATE  
Check for Samples: SN74LVC1G3208-Q1  
1
FEATURES  
DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION  
•
•
•
•
•
•
•
Qualified for Automotive Applications  
Supports 5-V VCC Operation  
This device is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC  
operation.  
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
Max tpd of 5 ns at 3.3 V  
The SN74LVC1G3208-Q1 is a single 3-input positive  
OR-AND gate. It performs the Boolean function Y =  
(A + B) ⋅ C in positive logic.  
Low Power Consumption, 10-mA Max ICC  
±24-mA Output Drive at 3.3 V  
By tying one input to GND or VCC  
,
the  
Input Hysteresis Allows Slow Input Transition  
and Better Switching Noise Immunity at the  
Input  
SN74LVC1G3208-Q1 offers two more functions.  
When C is tied to VCC, this device performs as a  
2-input OR gate (Y = A + B). When A is tied to GND,  
the device works as a 2-input AND gate (Y = B ⋅ C).  
This device also works as a 2-input AND gate when  
B is tied to GND (Y = A ⋅ C).  
(Vhys = 250 mV Typ at 3.3 V)  
•
•
Can Be Used in Three Combinations:  
–
–
–
OR-AND Gate  
OR Gate  
This device is fully specified for partial-power-down  
applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the  
outputs, preventing damaging current backflow  
through the device when it is powered down.  
AND Gate  
Ioff Supports Partial-Power-Down Mode  
Operation  
ORDERING INFORMATION  
TA  
–40°C to 85°C SOT (SC-70) – DCK  
PACKAGE(1)  
ORDERABLE PART NUMBER  
TOP-SIDE MARKING  
Reel of 3000  
CLVC1G3208IDCKRQ1  
DGR  
(1) Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at  
www.ti.com/sc/package.  
FUNCTION TABLE(1)  
INPUTS  
OUTPUT  
Y
A
H
X
X
L
B
X
H
X
L
C
H
H
L
H
H
L
H
L
(1) X = Valid H or L  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CLVC1G32MDCKREPG4 TI

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