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CLF1G0060-30U

更新时间： 2024-11-21 20:10:31

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恩智浦 - NXP		局域网放大器晶体管
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19页	202K
描述
CLF1G0060-30

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CLF1G0060-30U 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Preview
零件包装代码：	DFM	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
Base Number Matches：	1

CLF1G0060-30U 数据手册

CLF1G0060-30; CLF1G0060S-30

Broadband RF power GaN HEMT

Rev. 4 — 20 June 2013

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

The CLF1G0060-30 and CLF1G0060S-30 are 30 W general purpose broadband GaN

HEMTs usable from DC to 6.0 GHz.

Table 1.

CW and pulsed RF application information

Typical RF performance at T_case= 25 C; I_Dq= 70 mA; V_DS= 50 V in a class-AB broadband demo

board.

Test signal

P_L

(W)

G_p

_D

(MHz)

500

(dB)

15.6

13.9

13.7

12.6

14.2

16.6

15.8

15.5

14.5

15.9

(%)

60.7

50.3

50.8

1-Tone CW

1000

1500

2000

2500

500

55.6

1-Tone pulsed ^[1]

1000

1500

2000

2500

52.5

[1] Pulsed RF; t_p= 100 s;  = 10 %.

Table 2.

2-Tone CW application information

Typical 2-Tone performance at T_case= 25 C; I_Dq= 150 mA; V_DS= 50 V in a class-AB broadband

demo board.

Test signal

P_L(PEP)

(W)

IMD3

(dBc)

38

(MHz)

500

2-Tone CW ^[1]

1000

1500

2000

2500

50

45

50

43

[1] 2-Tone CW; f = 1 MHz.

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