是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.65 | 外壳连接: | ANODE |
标称电路换相断开时间: | 150 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 28 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.6 V | 最大维持电流: | 60 mA |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大漏电流: | 2 mA | 通态非重复峰值电流: | 325 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电流: | 30000 A | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 47 A | 断态重复峰值电压: | 1200 V |
重复峰值反向电压: | 1200 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CLA30E1200PB | IXYS |
完全替代 ![]() |
Silicon Controlled Rectifier, 47A I(T)RMS, 30000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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CLA30E1200PC | IXYS |
完全替代 ![]() |
Silicon Controlled Rectifier, 47A I(T)RMS, 30000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CLA30E1200NPZ | LITTELFUSE |
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高效SCR系列提供采用各种封装的晶闸管,具有改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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CLA30E1200PB | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 47A I(T)RMS, 30000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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CLA30E1200PB | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 47A I(T)RMS, 30000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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CLA30E1200PC | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 47A I(T)RMS, 30000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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CLA30E1200PC | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 47A I(T)RMS, 30000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Ele |
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CLA30E1200PC-TRL | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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CLA30E1200PC-TUB | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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CLA30MT1200NPB | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier |
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CLA30MT1200NPB | LITTELFUSE |
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高效三端双向可控硅系列提供各种封装,具有改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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CLA30MT1200NPZ | IXYS |
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TRIAC |
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