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CL70R580C

更新时间: 2024-11-26 17:00:55
品牌 Logo 应用领域
晶导 - JINGDAO /
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8页 603K
描述
TO-252

CL70R580C 数据手册

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R
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
CL70R580C  
CL70R580C  
650V N-Channel Super Junction MOSFET  
Features  
Very Low FOM (RDS(on) × Qg)  
Extremely low switching loss  
Excellent stability and uniformity  
100% Avalanche Tested  
ITEM  
BVDSS  
ID  
Value  
700  
7
Unit  
V
A
RDSON(MAX)  
Qg,,Typ  
0.58  
13.3  
Ω
Built-in ESD Diode  
nC  
Package & Internal Circuit  
Applications  
TO-252  
SYMBOL  
Switch Mode Power Supply (SMPS)  
Uninterruptible Power Supply (UPS)  
Power Factor Correction (PFC)  
AC to DC Converters  
Telecom  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
TC=25unless otherwise specified  
Parameter  
Value  
Unit  
VDSS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
700  
V
V
±30  
Drain Current  
Drain Current  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25)  
- Continuous (TC = 100)  
- Pulsed  
7
5.6  
A
ID  
A
1)  
IDM  
28  
A
2)  
EAS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
125  
mJ  
A
IAR  
Avalanche Current  
1.2  
dv/dt  
dv/dt  
PD  
MOSFET dv/dt ruggedness, VDS=0…400V  
Reverse diode dv/dt, VDS=0400V, IDSID  
Power Dissipation (TC = 25)  
50  
V/ns  
V/ns  
W
15  
68  
VESD(G-S)  
TjTstg  
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ)  
Operating and Storage Temperature Range  
2000  
-55 to +150  
V
Thermal Resistance Characteristics  
Symbol  
RθJC  
Parameter  
Value  
1.84  
Unit  
/W  
/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient , Max.  
RθJA  
62.5  
地址:深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 1-3 层  
电话:0755-29799516 传真:0755-29799515  
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