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CJK2333

更新时间： 2024-11-27 14:54:19

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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5页	564K
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SOT-23-3L

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CJK2333 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJK2333 P-channel MOSFET

I_D

V^(BR)DSS

R^DS(on)MAX

28mΩ@-4.5V

32mΩ@-3.7V

40mΩ@-2.5V

63mΩ@-1.8V

150mΩ@-1.5V

SOT-23-3L

-6A

-12V

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

FEATURE

APPLICATION

 TrenchFET Power MOSFET

 DC/DC Converter

 Excellent R

Low Gate Charge

_DS(on)and

 Load Switch for Portable Devices

 Battery Switch

MARKING

Equivalent Circuit

S33

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-12

±8

Continuous Drain Current

-6

Pulsed Drain Current (t=300µs)

I_DM

-20

0.4

Pow

P_D

er Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient

R_θJA

312.5

-55~ +150

℃/W

℃

T_J,T_STG

Operation Junction and Storage Temperature Rangee

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4 5

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