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CJK2009

更新时间： 2024-11-27 14:54:19

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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SOT-23-3L

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CJK2009 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

SOT-23-3L

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

Ω@-4.5V

-9A

-20V

mΩ@-2.5V

Application

Feature



PWM application

Load switch

Battery charge in cellular handset



Advanced trench MOSFET process technology

Ultra low on-resistance with low gate charge

Equivalent Circuit

MARKING

Maximum ratings ( T_a=25℃ unless otherwise noted)

Unit

Value

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

-20

±12

Continuous Drain Current

I_D

-9

Power Dissipation

P_D

450

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

T_J,T_STG

278

-55~+150

Rev. - 2.2

www.jscj-elec.com

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