CJF32B

更新时间： 2024-11-25 03:25:39

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描述
SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS

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CJF32B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

CJF32B 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS

NPN

PNP

CJF31

CJF31A

CJF31B

CJF31C

CJF32

CJF32A

CJF32B

CJF32C

TO-220FP Fully Isolated

Plastic Package

Designed for use in General Purpose Amplifier and Switching Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL CJF31

CJF32

CJF31A

CJF32A

CJF31B

CJF32B

CJF31C

CJF32C

100

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current - Continuous

Peak

I_B

Base Current

P_D

Total Power Dissipation @ Tc=25ºC

Derate Above 25ºC

Total Power Dissipation @ Ta=25ºC

Derate Above 25ºC

0.32

W/ºC

ºC

P_D

0.016

T_j,Tstg

Operating and Storage Junction

Temperature Range

-65 to +150

THERMAL RESISTANCE

From Junction to Ambient

From Junction to Case

R_th(j-a)

R_th(j-c)

62.5

3.125

ºC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

MAX

UNIT

V_{CEO (sus)}

I_C=30mA, I_B=0

Collector Emitter (sus) Voltage

CJF31, CJF32

CJF31A, CJF32A

CJF31B, CJF32B

CJF31C, CJF32C

100

I_CEO

Collector Cut off Current

CJF31/31A, CJF32/32A

V_CE=30V, I_B=0

0.3

CJF31B/31C, CJF32B/32C

V_CE=60V, I_B=0

I_CES

I_EBO

V_CE=Rated V_CES, V_EB=0

V_BE=5V, I_C=0

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

200

1.0

µA

Continental Device India Limited

Data Sheet

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