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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CJD50TR13TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
|
| CJD80SN10S | CJ |
获取价格 |
TO-251S |
|
| CJD81 | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| CJD86 | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
|
| CJDE8404 | CJ |
获取价格 |
DFNWB3×3-8L-U |
|
| CJDR1267 | CJ |
获取价格 |
SSOP16 |
|
| CJDR5958 | CJ |
获取价格 |
DFNWB3×3-10L |
|
| CJDR6208 | CJ |
获取价格 |
QFNWB6x6-44L |
|
| CJDR8837 | CJ |
获取价格 |
DFNWB2×2-8L |
|
| CJDR8838 | CJ |
获取价格 |
DFNWB2×2-8L |
|
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