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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.72 | JESD-609代码： | e0 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CJD47TR13LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CJD47TR13PBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CJD50 | CENTRAL |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| CJD50BK | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CJD50BKLEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CJD50BKPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CJD50BKTIN/LEAD | CENTRAL |
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Transistor |
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| CJD50LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CJD50PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| CJD50TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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