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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CJD45H11PBFREE
CJD45H11PBFREE PDF预览

CJD45H11PBFREE

更新时间： 2024-11-25 13:06:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 420K
描述
Power Bipolar Transistor,

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CJD45H11PBFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76Is Samacsys：N
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

CJD45H11PBFREE 数据手册

 浏览型号CJD45H11PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CJD44H11 NPN  
CJD45H11 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD44H11,  
CJD45H11 types are Complementary Silicon Power  
Transistors manufactured in a surface mount  
package designed for switching and power amplifier  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
DPAK TRANSISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25ºC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
V
C
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
80  
5.0  
CEO  
EBO  
V
I
8.0  
A
C
I
16  
A
CM  
P
20  
W
D
D
Power Dissipation (T =25ºC)  
P
1.75  
-65 to +150  
6.25  
71.4  
W
A
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
ºC  
J
stg  
Θ
Θ
ºC/W  
ºC/W  
JC  
JA  
Thermal Resistance  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25ºC unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNITS  
I
I
V
V
=80V  
µA  
µA  
V
CES  
EBO  
CE  
EB  
=5.0V  
50  
BV  
I =30mA  
80  
CEO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
V
V
I =8.0A, I =400mA  
1.0  
1.5  
V
C
B
I =8.0A, I =800mA  
V
C
B
h
h
V
=1.0V, I =2.0A  
60  
40  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
V
V
V
V
V
=1.0V, I =4.0A  
C
FE  
f
f
=10V, I =500mA, f=20MHz (CJD44H11)  
60  
MHz  
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =500mA, f=20MHz (CJD45H11)  
50  
T
C
C
C
=10V, I =0, f=0.1MHz (CJD44H11)  
120  
220  
320  
150  
450  
130  
100  
ob  
E
=10V, I =0, f=0.1MHz (CJD45H11)  
pF  
ob  
E
t
t
t
t
t
+ t  
I =5.0A, I =500mA (CJD44H11)  
B1  
I =5.0A, I =500mA (CJD45H11)  
ns  
d
d
s
f
r
r
C
+ t  
ns  
C
B1  
I =5.0A, I =I =500mA (CJD44H11, CJD45H11)  
ns  
C
B1 B2  
I =5.0A, I =I =500mA (CJD44H11)  
ns  
C
B1 B2  
I =5.0A, I =I =500mA (CJD45H11)  
ns  
f
C
B1 B2  
R2 (4-January 2010)  
12

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与CJD45H11PBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CJD45H11TIN/LEAD CENTRAL

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