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CJBA7002K

更新时间： 2024-11-19 14:56:03

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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DFN1006-3L

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CJBA7002K 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

DFN1006-3L Plastic-Encapsulate MOSFETs

CJBA7002K N-Channel MOSFET

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

1.5Ω@10V

1.8Ω@4.5V

I_D

DFN1006-3L

60V

0.41A

FEATURE

APPLICATION



Low On-Resistance



Load Switch

Low Threshold Voltage

Fast Switching Speed

ESD Protected Gate

Portable Applications

Power Management Functions

MARKING:

Equivalent Circuit

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_a=25℃

T_a=85℃

0.41

Continuous Drain Current

I_D

0.30

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

I_DM

1.2

③

℃/W

℃

P_D

275

③

Thermal Resistance from Junction to Ambient

R_θJA

455

Operation Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55~ +150

Rev. - 2.6

www.jscj-elec.com

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