CIL2482

更新时间： 2024-02-24 17:49:17

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CDIL		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	139K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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CIL2482 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-237	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-237AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

CIL2482 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

CIL2482

TO-237

BCE

High Voltage Switching & Amplifier Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 deg C)

DESCRIPTION

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

300

7.0

100

900

-55 to +150

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

deg C

Base Current

Tj,Tstg

Collector Power Dissipation

Junction and Storage Temperature

Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 deg C unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

1.0

150

1.0

UNIT

ICBO

IEBO

hFE

VCB=240V, IE=0

VEB=7V, IC=0

IC=4mA, VCE=10V

IC=20mA, VCE=10V

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

VCE(Sat) IC=10mA,IB=1mA

VBE(Sat) IC=10mA,IB=1mA

MHz

IC=20mA, VCE=10V

Collector Output Capacitance

Cob

VCB=20V, IE=0, f=1MHz

3.0

Continental Device India Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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