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CIL2383O

更新时间： 2024-02-01 20:15:02

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	61K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-237AA

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CIL2383O 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-237
包装说明：	TO-237, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-237AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

CIL2383O 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

NPN COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR

CIL2383

(BPL)

TO-92

BCE

Vertical Deflection Output & Class B Sound Output Applications of Colour T.V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified )

DESCRIPTION

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

180

6.0

1.0

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak

ICP

1.5

Base Current

Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

Tj, Tstg

500

900

-55 to +150

deg C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

180

TYP

MAX

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter on Voltage

VCEO

ICBO

IEBO

hFE*

IC=10mA, IB=0

VCB=150V, IE=0

VEB=6V, IC=0

1.0

320

1.5

0.75

IC=200mA,VCE=5V

VCE(Sat) * IC=500mA,IB=50mA

VBE(on)* IC=5mA, VCE=5V

0.45

Dynamic Characteristics

Output Capacitance

Cob

VCB=10V, IE=0,

f=1MHz

Gain Bandwidth Product

VCE=5V,IC=200mA,

100

MHz

CLASSIFICATION

hFE *

60-120

100-200

160-320

*Pulse Test : Pulse Width =300us, Duty Cycle=2%

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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与CIL2383O相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CIL2383R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-237AA	获取价格
CIL2383Y	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-237AA	获取价格
CIL240	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-106	获取价格
CIL241	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-106	获取价格
CIL242	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-106	获取价格
CIL245	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 60MA I(C) \| TO-106	获取价格