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BZT52C8V2S

更新时间： 2024-02-26 19:03:05

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辰达行 - MDD		稳压二极管测试光电二极管
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4页	111K
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ZENER DIODE

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BZT52C8V2S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	7 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.41 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	最大电压容差：	6.1%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52C8V2S 数据手册

BZT52C2V4S-BZT52C39S

ZENER DIODE

SOD-323

FEATURES

Planar die construction

1.35(0.053)

1.15(0.045)

1.26(.050)

1.24(.048)

Ultra-Small surface mount package

Ideally suited for automated assembly processes

2.75(0.108)

2.30(0.091)

2.75(0.108)

1.80(0.071)

1.60(0.063)

1.80(0.071)

1.60(0.063)

2.30(0.091)

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic body

.305(0.012)

.295(0.010)

0.4(0.016)

.25(0.010)

Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

.177(.007)

.089(.003)

0.1(0.004)

MIN

1.00(.040)

0.80(.031)

.72(0.028)

.69(0.027)

Polarity: Polarity symbols marked on case

.08(.003)

MIN

Dimensions in millimeters and (inches)

Maximum ratings (Tamb=25C unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOLS

UNITS

Limits

0.9

Forward voltage (Note 2)

@I =10mA

Power dissipation (Note1)

200

C/W

RΘJA

Thermal resistance, Junction to ambient air (Note1)

Operating and storage temperature range

625

TJ,TSTG

-65 to +150

NOTES: 1.Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.

2.Short duration test pulse used in minimize self-heating effect.

3.f=1KHz.

MDD ELECTRONIC

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