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B2200B

更新时间： 2024-02-13 06:36:25
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页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 2.0 Amperes

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B2200B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214
包装说明：SOC,针数：2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.57JESD-30 代码：R-PDSO-C3
长度：4.395 mm功能数量：1
端子数量：3最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOC封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.39 mm
表面贴装：YES电信集成电路类型：SURGE PROTECTION CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：C BEND
端子节距：1.4 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：60宽度：3.75 mm
Base Number Matches：1

B2200B 数据手册

 浏览型号B2200B的Datasheet PDF文件第2页 
B220B THRU B2200B  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current -  
2.0 Amperes  
FEATURES  
DO-214AA/SMB  
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
For surface mounted applications  
Metal silicon junction,majority carrier conduction  
Low power loss,high efficiency  
0.155(3.94)  
0.130(3.30)  
0.087 (2.20)  
0.071 (1.80)  
Built-in strain relief,ideal for automated placement  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
250 C/10 seconds at terminals  
0.180(4.57)  
0.160(4.06)  
0.012(0.305)  
0.006(0.152)  
0.096(2.44)  
0.084(2.13)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body  
Terminals: leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.060(1.52)  
0.030(0.76)  
0.008(0.203)MAX.  
0.220(5.59)  
0.205(5.21)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight  
:0.003 ounce, 0.093 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
SYMBOLS  
B280B B2A0B B2150B B2200B  
B220B B230B B240B B250B B260B  
UNITS  
MDD Catalog  
Number  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
VOLTS  
VOLTS  
VOLTS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TL(see fig.1)  
I(AV)  
2.0  
Amps  
Peak forward surge current  
IFSM  
50.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
Amps  
VF  
IR  
0.55  
220  
0.70  
0.5  
0.85  
0.95  
Maximum instantaneous forward voltage at 2.0A  
Volts  
mA  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.2  
2.0  
TA=100 C  
10.0  
5.0  
180  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJA  
75.0  
-50 to +150  
-50 to +125  
-50 to +150  
TJ,  
Storage temperature range  
C
TSTG  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas  
MDD ELECTRONIC  
12

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