是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.56 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.45 W |
最大重复峰值反向电压: | 40 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N5819SF | GXELECTRONICS | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage 20 to 40 Volts Forward Current - 1.0Ampere |
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1N5819-T | WTE | 1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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1N5819-T | RECTRON | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PALS |
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1N5819T/R | NXP | 1A, 40V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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1N5819T/R | PHILIPS | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), |
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1N5819-T/R | FRONTIER | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon |
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