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CHA5010B99F/00

更新时间： 2024-11-11 22:40:11

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UMS		射频和微波射频放大器微波放大器驱动
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4页	56K
描述
X Band Driver Amplifier

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CHA5010B99F/00 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
功能数量：	1	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装等效代码：	DIE OR CHIP
电源：	8 V	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	520 mA	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

CHA5010B99F/00 数据手册

CHA5010b

X Band Driver Amplifier

GaAs Monolithic Microwave IC

Description

This CHA5010b is a two-stage monolithic

driver amplifier.

The circuit is manufactured with a

standard MESFET process : via holes

through the substrate, air bridges and

electron beam gate lithography.

It is available in chip form.

Main Features

OUT

¦ Broadband performance : 9-10.5GHz

¦ 27dBm output power

(pulsed meas., -1dB gain compression)

¦ 15dB gain

¦ ± 1.5dB gain flatness

¦ Chip size : 2,09 x 1,27 x 0.10 mm

Main Characteristics

Tamb. = 25°C

Symbol

Fop

Parameter

Operating frequency range

Small signal gain

Min

Typ

Max

Unit

GHz

10.5

Output power

(Pulsed meas., Pin = +13dBm)

Pout

dBm

ESD Protection : Electrostatic discharge sensitive device. Observe handling precautions !

Ref. : DSCHA50100096 - 05-Apr-00

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Specifications subject to change without notice

United Monolithic Semiconductors S.A.S.

Route Départementale 128 - B.P.46 - 91401 Orsay Cedex France

Tel. : +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09

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