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CHA3063-99F/00

更新时间： 2024-02-20 01:42:25

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UMS		射频和微波射频放大器微波放大器驱动
页数	文件大小	规格书
7页	157K
描述
5.5-23GHz Driver Amplifier

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CHA3063-99F/00 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装等效代码：	DIE OR CHIP
电源：	4 V	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	210 mA	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

CHA3063-99F/00 数据手册

CHA3063

5.5-23GHz Driver Amplifier

GaAs Monolithic Microwave IC

Description

The CHA3063 is a two-stage general

purpose monolithic medium power

amplifier.The backside of the chip is both RF

and DC grounds.This helps simplify the

assembly process.

The circuit is manufactured with a PM-

HEMT process : 0.25µm gate length, via

holes through the substrate, air bridges and

electron beam gate lithography.

It is supplied in chip form.

dBS21

Main Feature

Broad band performance 5.5-23GHz

21dBm output power (Psat)

19dB gain, ± 1dB gain flatness

PAE:11%@P-1dB typical

-4

-8

dBS11

-12

-16

-20

-24

dBS22

Chip size : 1.33 x 0.910x 0.1mm

Frequency ( GHz )

On wafer typical measurements

Main Characteristics

Tamb = +25°C

Symbol

Parameter

Min

5.5

Typ

Max

Unit

GHz

Fop

Operating frequency range

Small signal gain

Pout

Output power, Pin=0dBm

+18

+20

160

dBm

Id_small_signal Bias current

210

ESD Protection : Electrostatic discharge sensitive device observe handling precautions !

Ref : DSCHA30632263 -20-Sept.-02

1/7

Specifications subject to change without notice

United Monolithic Semiconductors S.A.S.

Route Départementale 128 - B.P.46 - 91401 Orsay Cedex France

Tel. : +33 (0)1 69 33 03 08 - Fax : +33 (0)1 69 33 03 09

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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