Datasheet > CGS123T250X5C0ND

CGS123T250X5C0ND

更新时间： 2024-11-19 16:33:51

品牌	Logo	应用领域
CDE		电容器
页数	文件大小	规格书
7页	507K
描述
CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CGS123T250X5C0ND 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	电容：	12000 µF
电容器类型：	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	直径：	76.2 mm
介电材料：	ALUMINUM	ESR：	17 m Ω
长度：	130 mm	负容差：	10%
端子数量：	2	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装形式：	Screw Ends
极性：	NON-POLARIZED	正容差：	50%
额定（直流）电压（URdc）：	250 V	纹波电流：	14600 mA
系列：	CGS(NON-POLAR)	端子节距：	31.7 mm
Base Number Matches：	1

CGS123T250X5C0ND 数据手册

Type CGS High-Cap Screw Terminal Aluminum Electrolytic Capacitor

High CV, Screw Terminal Capacitors

Type CGS screw terminal, aluminum electrolytic ca-

pacitors have a high CV rating and are suitable for use

in most demanding applications requiring high current

ﬁltering or energy storage.

Highlights

•

High CV rating

High current ﬁltering

Screw terminal

Speciﬁcations

Capacitance Range:

Voltage Range:

75 to 1,500,000 µF

6.3 to 500 WVdc

Capacitance Tolerance:

–10% +75% (6.3 - 150 WVdc)

–10% +50% (200 - 450 WVdc)

–40 ºC to +85 ºC

Operating Temperature:

Ripple Current Multipliers:

Ambient Temperature

+45 ºC

+55 ºC

+65 ºC

+75 ºC

+85 ºC

2.24

2.00

1.73

1.41

1.00

Complies with the EU Directive

2002/95/EC requirement

restricting the use of Lead (Pb),

Mercury (Hg), Cadmium (Cd),

Hexavalent chromium (Cr(VI)),

PolyBrominated Biphenyls (PBB)

and PolyBrominated Diphenyl

Ethers (PBDE).

Rated

Voltage

Ripple Multiplier

60 Hz

120 Hz

1.0

300 Hz 1000 Hz 10 kHz

16 to 150

200 to 500

0.9

1.15

1.25

1.40

1.30

1.50

1.0

DC Leakage Current:

I = .006 √CV

Not to exceed 6.0 mA max. after 5 minutes

C = Capacitance in µF

V = Rated Voltage

Click here to see: Hardware & Mounting

Options

I = Leakage current in mA

QA Stability Test:

Apply WVdc for 2000 h @ 85 ºC

• Capacitance change ± 10% from initial limits

• DC leakage current: 200% of limit

• ESR: 175% of limit

Click here to see: Mechanical Details

Typical Performance Curves

CDE Cornell Dubilier • 1605 E. Rodney French Blvd. • New Bedford, MA 02744 • Phone: (508)996-8561 • Fax: (508)996-3830 • www.cde.com

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与CGS123T250X5C0ND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CGS123T250X5C0NF	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C0NG	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C0NL	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C0NN	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C1NG	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C1NL	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C3NG	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C3PL	CDE	获取价格	Cap,Al2O3,12mF,250VDC,10% -Tol,50% +Tol
CGS123T250X5C6NN	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL
CGS123T250X5C7ND	CDE	获取价格	CAP,AL2O3,12MF,250VDC,10% -TOL,50% +TOL

与CGS123T250X5C0ND相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CGS123T250X5C0ND

CGS123T250X5C0ND 技术参数

CGS123T250X5C0ND 数据手册

与CGS123T250X5C0ND相关器件

与CGS123T250X5C0ND相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CGS123T250X5C0ND

CGS123T250X5C0ND 技术参数

CGS123T250X5C0ND 数据手册

与CGS123T250X5C0ND相关器件

与CGS123T250X5C0ND相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？