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CGRAT101L-HF

更新时间： 2024-11-30 12:54:23
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上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
4页 701K
描述
Low VF SMD General Purpose Rectifiers

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CGRAT101L-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-N2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CGRAT101L-HF 数据手册

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Low VF SMD General Purpose Rectifiers  
CGRAT101L-HF Thru. CGRAT105L-HF  
Glass Passivated Type  
Reverse Voltage: 200 to 1000 Volts  
Forward Current: 1.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen Free  
2010/DO-214AC  
Features  
-Glass passivated cavity-free junction.  
0.181(4.60)  
0.173(4.40)  
-Lead less chip form, no lead damage.  
x0.020(x0.50)  
0.091(2.30)  
0.083(2.10)  
-Low forward voltage drop.  
-Plastic package has Underwriters lammability  
classification 94V-0.  
0.038(0.97)  
0.037(0.93)  
0.038(0.97)  
0.037(0.93)  
Mechanical data  
0.039(0.98)  
0.037(0.95)  
-Case: Packed with FRP substrate and epoxy underfilled.  
-Terminals: Pure Tin plated, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
-Polarity: Cathode Band, Laser marking.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Weight: 0.02 grams (approx).  
Circuit Diagram  
Absolute Maximum Ratings (at Ta=25°C unless otherwise noted)  
CGRAT  
CGRAT  
CGRAT  
CGRAT  
CGRAT  
Parameter  
Symbol  
Units  
101L-HF  
102L-HF  
103L-HF  
104L-HF  
105L-HF  
Repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
400  
600  
40  
800  
1000  
V
Peak forward surge current, 8.3ms  
single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method)  
IFSM  
A
Average forward current  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
IF(AV)  
TJ  
1.0  
A
-65 to +175  
-65 to +175  
°C  
°C  
TSTG  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
MIN.  
TYP.  
0.91  
0.08  
8.2  
70  
MAX.  
Unit  
V
-
Forward voltage  
IF =1.0A  
VF  
0.93  
-
-
-
-
Repetitive peak reverse current  
Junction capacitance  
VR =Max. VRRM, TA=25°C  
VR=4V, f=1.0MHZ  
IRRM  
CJ  
5
-
uA  
pF  
-
-
Junction to ambient (Note)  
Junction to lead (Note)  
RθJA  
RθJL  
Thermal Resistance  
°C/W  
8
Notes: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. monuted on 0.2×0.2”(5.0*5.0mm) copper pad areas.  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV: A  
Page 1  
QW-JG008  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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