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CGHV1J006D

更新时间： 2022-02-26 14:18:48
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科锐 - CREE /
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描述
6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

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CGHV1J006D  
6 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die  
Cree’s CGHV1J006D is a high voltage gallium nitride (GaN) High Electron  
Mobility Transistor (HEMT) on a silicon carbide substrate, using a 0.25 μm  
gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high  
frequency, high efficiency features. It is ideal for a variety of applications  
operating from 10 MHz to 18 GHz at 40 V with a high breakdown voltage.  
FEATURES  
APPLICATIONS  
• 17 dB Typ. Small Signal Gain at 10 GHz  
• Satellite Communications  
• PTP Communications Links  
• Marine Radar  
• 60% Typ. PAE at 10 GHz  
• 6 W Typical Psat  
• 40 V Operation  
• Pleasure Craft Radar  
• Port Vessel Traffic Services  
• Broadband Amplifiers  
• High Efficiency Amplifiers  
• Up to 18GHz Operation  
Packaging Information  
• Bare die are shipped in Gel-Pak® containers or on tape.  
• Non-adhesive tacky membrane immobilizes die during  
shipment.  
Subject to change without notice.  
www.cree.com/rf  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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