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CGHV14800P

更新时间： 2024-02-08 11:36:58

品牌	Logo	应用领域
科锐 - CREE		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	633K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, CERAMIC, 440133, 2 PIN

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CGHV14800P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CERAMIC, 440133, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches：	1

CGHV14800P 数据手册

CGHV14800

800 W, 1200 - 1400 MHz, GaN HEMT for L-Band Radar Systems

Cree’s CGHV14800 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed

speciﬁcally with high efﬁciency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the

CGHV14800 ideal for 1.2 - 1.4 GHz L-Band radar ampliﬁer applications. The transistor could

be utilized for band speciﬁc applications ranging from 1000 through 1500 MHz. The package

options are ceramic/metal ﬂange and pill package.

Typical Performance Over 1.2-1.4 GHz ^(T_C^{= 25˚C)}of Demonstration Ampliﬁer

Parameter

1.2 GHz

1.25 GHz

1.3 GHz

1.35 GHz

1.4 GHz

Units

Output Power

990

930

990

Power Gain

Drain Efﬁciency

Note:

15.8

15.7

15.6

15.7

Measured in the CGHV14800-AMP ampliﬁer circuit, under 3 μs pulse width, 3% duty cycle, P_IN= 44 dBm.

Features

•

Reference design ampliﬁer 1.2 - 1.4 GHz Operation

FET tuning range UHF through 1800 MHz

900 W Minimum Output Power

14 dB Power Gain

69% Typical Drain Efﬁciency

<0.3 dB Pulsed Amplitude Droop

Internally input and output matched

Subject to change without notice.

www.cree.com/rf

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与CGHV14800P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CGHV14800-TB	CREE	获取价格	800 W, 1200 - 1400 MHz, 50 V, GaN HEMT for L-Band Radar Systems
CGHV1A250	MACOM	获取价格	8.8 - 9.6 GHz, 300 W, 45 V, Packaged GaN Transistor
CGHV1F006	MACOM	获取价格	6 W; DC - 15.0 GHz; 40 V; GaN HEMT
CGHV1F006S	CREE	获取价格	6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1	CREE	获取价格	6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP2	CREE	获取价格	6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP3	CREE	获取价格	6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP4	CREE	获取价格	6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT
CGHV1F006S-TR	CREE	获取价格	6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT
CGHV1F025	MACOM	获取价格	25 W; DC - 15 GHz; 40 V; GaN HEMT