型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CGHV1A250 | MACOM |
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8.8 - 9.6 GHz, 300 W, 45 V, Packaged GaN Transistor | |
CGHV1F006 | MACOM |
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6 W; DC - 15.0 GHz; 40 V; GaN HEMT | |
CGHV1F006S | CREE |
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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT | |
CGHV1F006S-AMP1 | CREE |
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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT | |
CGHV1F006S-AMP2 | CREE |
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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT | |
CGHV1F006S-AMP3 | CREE |
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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT | |
CGHV1F006S-AMP4 | CREE |
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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT | |
CGHV1F006S-TR | CREE |
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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT | |
CGHV1F025 | MACOM |
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25 W; DC - 15 GHz; 40 V; GaN HEMT | |
CGHV1F025S | CREE |
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25 W, DC - 15 GHz, 40V, GaN HEMT |