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CGH40006S-TR

更新时间： 2024-11-14 01:24:11
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科锐 - CREE /
页数 文件大小 规格书
16页 2058K
描述
6 W, RF Power GaN HEMT, Plastic

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CGH40006S-TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Base Number Matches：1

CGH40006S-TR 数据手册

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CGH40006S  
6 W, RF Power GaN HEMT, Plastic  
Cree’s CGH40006S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility  
transistor (HEMT). The CGH40006S, operating from a 28 volt rail, offers a general  
purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs  
offer high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities making the CGH40006S  
ideal for linear and compressed amplifier circuits. The transistor is available in a 3mm  
x 3mm, surface mount, quad-flat-no-lead (QFN) package.  
FEATURES  
APPLICATIONS  
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Up to 6 GHz Operation  
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2-Way Private Radio  
13 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz  
11 dB Small Signal Gain at 6.0 GHz  
8 W typical at PIN = 32 dBm  
65 % Efficiency at PIN = 32 dBm  
28 V Operation  
Broadband Amplifiers  
Cellular Infrastructure  
Test Instrumentation  
Class A, AB, Linear amplifiers suitable for  
OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms  
3mm x 3mm Package  
Subject to change without notice.  
www.cree.com/wireless  
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