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CGB191

更新时间： 2024-09-17 19:35:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		射频微波
页数	文件大小	规格书
5页	190K
描述
Narrow Band Medium Power Amplifier, 1850MHz Min, 1910MHz Max, GAAS, PLASTIC, VQFN-24-3, 24 PIN

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CGB191 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, VQFN-24-3, 24 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	24 dB
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	24	最大工作频率：	1910 MHz
最小工作频率：	1850 MHz	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC24,.17X.14,20	电源：	3.7 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压驻波比：	5
Base Number Matches：	1

CGB191 数据手册

GaAs MMIC

Target Data Sheet

CGB 191

• HBT power amplifier for 1900 MHz CDMA, TDMA and

WCDMA portable cellular phones

• Integrated temperature compensated bias circuit

• Power down control

• CMOS- switchable high/low-power mode

• Internal input match

P-VQFN-24-3

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe

handling precautions!

Type

Marking

Ordering Code

Package

(taped)

CGB 191

Q62702-G0131

P-VQFN-24-3

Maximum Ratings

Parameter

Symbol Max. Value

Unit

Positive supply voltage

Supply current

V_C

t.b.d.

I_C

t.b.d.

Channel temperature

Storage temperature

T_Ch

T_stg

P_Pulse

P_tot

150

°C

– 55 … + 150

t.b.d.

Pulse peak power dissipation

Total power dissipation (T_S≤ 80 °C)

T_S: Temperature at soldering point

t.b.d.

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

K/W

Channel-soldering point

R_thChS

t.b.d.

Data Sheet

2001-01-01

12 3 4 5

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