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CFY67-08PP PDF预览

CFY67-08PP

更新时间： 2024-02-04 15:12:56
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 46K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, MICROX-4

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CFY67-08PP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-XRDB-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：3.5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.06 A最大漏极电流 (ID)：0.06 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：K BAND
JESD-30 代码：O-XRDB-F4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.2 W最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified参考标准：ESA/SCC 5613/004
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

CFY67-08PP 数据手册

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CFY67  
HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT  
• HiRel Discrete and Microwave  
4
1
3
2
Semiconductor  
• Pseudo-morphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT  
• For professional super low-noise amplifiers  
• For frequencies from 500 MHz to > 20 GHz  
• Hermetically sealed microwave package  
• Super low noise figure, high associated gain  
•
Space Qualified  
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/004,  
Type Variant No.s 01 to 04, 05 foreseen (tbc.)  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
Type  
Marking Ordering Code Pin Configuration  
Package  
1
2
3
4
CFY67-06 (ql)  
CFY67-08 (ql)  
CFY67-08P (ql)  
CFY67-10 (ql)  
CFY67-10P (ql)  
-
see below  
G
S
D
S
Micro-X  
CFY67-nnl: specifies gain and output power levels (see electrical characteristics)  
(ql) Quality Level:  
P: Professional Quality,  
H: High Rel Quality,  
S: Space Quality,  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Q62702F1699  
on request  
on request  
ES: ESA Space Quality,  
Q62702F1699  
(see order instructions for ordering example)  
Semiconductor Group  
1 of 9  
Draft D, Jul. 98  
1234567...9

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