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CFK2062-P1-000T

更新时间: 2024-01-05 11:45:46
品牌 Logo 应用领域
MIMIX 晶体射频场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 791K
描述
800 to 900 MHz + 30 dBm Power GaAs FET

CFK2062-P1-000T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:10 VFET 技术:JUNCTION
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:8工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN OVER COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

CFK2062-P1-000T 数据手册

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CFK2062-P1  
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