Datasheet > CESD3V3D5

CESD3V3D5

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	1528K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 158W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CESD3V3D5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.79	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	5.9 V	最小击穿电压：	5 V
击穿电压标称值：	5.45 V	最大钳位电压：	9.4 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散：	158 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	IEC-61000-4-2	最大重复峰值反向电压：	3.3 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

CESD3V3D5 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes

SOD-523

CESD3V3D5 ESD Protection Diode

DESCRIPTION

The CESD3V3D5 is designed to protect voltage sensitive

components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage,

and fast response time provide best in class protection on designs that

are exposed to ESD. Because of its small size, it is suited for use in

cellular phones, MP3 players, digital cameras and many other portable

applications where board space is at a premium.

FEATURES

Stand−off Voltage: 3.3 V

Low Leakage

Response Time is Typically < 1 ns

ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) Per Human Body Model

IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection

These are Pb−Free Devices

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Limit

Unit

Symbol

±30

IEC61000−4−2(ESD)

Air model

Contact model

ESD voltage

per human body model

per machine model

400

150

833

℃/W

℃

Total power dissipation on FR-5 board (Note 1)

Thermal resistance junction−to−ambient

P_D

R_ΘJA

T_L

260

Lead solder temperature − maximum (10 second duration)

Junction and storage temperature range

T_j,T_stg

-55 ~ +150

℃

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only.

Functional operation above the Recommended. Operating Conditions is not implied. Extended exposure to

stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

Note 1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.

C,Mar,2013

中文翻译

下载PDF

与CESD3V3D5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CESD3V3D7	LGE	获取价格	SOD-723 Plastic-Encapsulate Diodes
CESD3V3D7	CJ	获取价格	SOD-723
CESD5V0AP	CJ	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,
CESD5V0AP	CJ	获取价格	SOT-23
CESD5V0D1	CJ	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
CESD5V0D1	CJ	获取价格	SOD-123
CESD5V0D3	CJ	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
CESD5V0D3	CJ	获取价格	SOD-323
CESD5V0D3	UMW	获取价格	反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidir
CESD5V0D5	CJ	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 174W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

与CESD3V3D5相关文章

咪头种类及其特性：全指向与单指向咪头的专业解析
2024-06-25

8
基频晶振与泛音晶振在电路中的使用差异解析
2024-06-25

6
BSS138P数据手册解读：产品概览、特性、应用及替换型号推荐
2024-06-25

5
SZNUP2105LT1G电气参数、产品特性详解
2024-06-25

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CESD3V3D5

CESD3V3D5 技术参数

CESD3V3D5 数据手册

与CESD3V3D5相关器件

与CESD3V3D5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CESD3V3D5

CESD3V3D5 技术参数

CESD3V3D5 数据手册

与CESD3V3D5相关器件

与CESD3V3D5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？