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CESD12VD5

更新时间： 2024-09-23 19:47:47

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	618K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 240W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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CESD12VD5 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.76
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	16.5 V
最小击穿电压：	14.1 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值反向功率耗散：	240 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	参考标准：	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：	12 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

CESD12VD5 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes

SOD-523

CESD12VD5 ESD Protection Diode

DESCRIPTION

The CESD12VD5 is designed to protect voltage sensitive

components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage,

and fast response time provide best in class protection on designs that

are exposed to ESD. Because of its small size, it is suited for use in

cellular phones, MP3 players, digital cameras and many other portable

applications where board space is at a premium.

FEATURES

Stand−off Voltage: 12 V

Low Leakage

Response Time is Typically < 1 ns

ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) Per Human Body Model

IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection

These are Pb−Free Devices

Maximum Ratings @Ta=25℃

Limit

Unit

Parameter

Symbol

±30

IEC61000−4−2(ESD)

ESD Voltage

Air model

Contact model

Per human body model

Per machine model

400

150

833

℃/W

℃

Total Power Dissipation (Note 1)

P_D

Thermal Resistance Junction−to−Ambient

R_ΘJA

T_L

260

Lead Solder Temperature − Maximum (10 Second Duration)

Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

-55 ~ +150

℃

Stresses exceeding maximum ratings may damage the device. Maximum ratings are stress ratings only.

Functional operation above the recommended. Operating conditions is not implied. Extended exposure to

stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.

C,Mar,2013

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与CESD12VD5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CESD12VD7	LGE	获取价格	SOD-723 Plastic-Encapsulate Diodes
CESD12VD7	CJ	获取价格	SOD-723
CESD15VD5	CJ	获取价格	SOD-523
CESD24VD3	CJ	获取价格	SOD-323
CESD24VD5	CJ	获取价格	SOD-523
CESD24VD5	UMW	获取价格	反向截止电压（Vrwm）:24V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unidi
CESD3V3AP	CJ	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,
CESD3V3AP	CJ	获取价格	SOT-23
CESD3V3AP	UMW	获取价格	ESD/TVS 管
CESD3V3D3	CJ	获取价格	SOD-323