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S002611

更新时间: 2024-02-29 22:17:50
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CENTRAL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 639K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

S002611 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1

S002611 数据手册

 浏览型号S002611的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
PROCESS CP517  
Power Transistor  
Central  
Semiconductor Corp.  
PNP - Darlington Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL BASE  
Die Size  
111 X 111 MILS  
10 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
20 X 30 MILS  
20 X 26 MILS  
Al - 30,000Å  
Au/Cr/Ni/Au - 6,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER  
910  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
2N6040  
2N6041  
2N6042  
2N6299  
BACKSIDE COLLECTOR  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  
R2 (18-August 2006)  

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