是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 20 A | 基于收集器的最大容量: | 600 pF |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 160 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 4 MHz |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6286 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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2N6286 | NJSEMI | COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE |
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2N6286 | COMSET | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N6286 | STMICROELECTRONICS | 20A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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2N6286 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(20A,160W) |
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2N6286 | BOCA | DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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