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2N6230

更新时间: 2024-01-19 23:09:47
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1页 88K
描述
SILICON POWER TRANSISTOR

2N6230 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):10 A基于收集器的最大容量:600 pF
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):150 W
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1 MHz
VCEsat-Max:2 V

2N6230 数据手册

  
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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