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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 0.8 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5494LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2N5495 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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| 2N5496 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5496 | NJSEMI | SILICON N-P-N TRANSISTORS |
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| 2N5496 | CENTRAL | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5496 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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