是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.76 |
最大集电极电流 (IC): | 7 A | 集电极-发射极最大电压: | 55 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 0.8 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5492LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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2N5493 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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2N5493 | TI | TRANSISTOR,BJT,NPN,65V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220AB |
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2N5494 | CENTRAL | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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2N5494 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N5494 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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