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2N5194TIN/LEAD

更新时间: 2024-01-29 00:43:35
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1页 63K
描述
Power Bipolar Transistor,

2N5194TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.81Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1

2N5194TIN/LEAD 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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