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2N4915

更新时间: 2024-02-02 21:43:32
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1页 67K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

2N4915 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.78外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):7
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):87.5 W表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2N4915 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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