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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 20 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | 最大降落时间（tf）： | 50 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1.25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 8.75 W |
| 最大上升时间（tr）： | 60 ns | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 400 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N4406 | CENTRAL | PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N4406 | NJSEMI | PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N4406LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 |
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| 2N4407 | NJSEMI | PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N4407 | CENTRAL | PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N4407 | ASI | Transistor |
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