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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N3585LEADFREE
2N3585LEADFREE PDF预览

2N3585LEADFREE

更新时间： 2024-02-03 17:46:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 435K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, TO-66, 2 PIN

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2N3585LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-66
包装说明：TO-66, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-66
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

2N3585LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N3585LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N3583  
2N3584  
2N3585  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3583 Series  
types are NPN Silicon Transistors designed for high  
speed switching and high voltage amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-66 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
2N3583  
250  
175  
6.0  
1.0  
2N3584  
375  
250  
6.0  
2.0  
5.0  
1.0  
35  
2N3585  
500  
300  
6.0  
2.0  
UNITS  
V
V
V
A
A
A
W
°C  
°C/W  
C
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
I
P
B
D
T , T  
-65 to +200  
5.0  
J
stg  
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
2N3583  
2N3584  
2N3585  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
mA  
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
=225V, V =1.5V  
-
1.0  
-
-
-
-
1.0  
-
-
-
CEV  
CEV  
CEV  
CEV  
CEV  
CEO  
EBO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
EB  
=340V, V =1.5V  
EB  
-
-
-
-
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
V
V
V
=450V, V =1.5V  
-
-
-
-
1.0  
-
EB  
=225V, V =1.5V, T =150°C  
-
-
3.0  
-
-
-
EB  
C
C
=300V, V =1.5V, T =150°C  
-
-
-
3.0  
5.0  
0.5  
-
-
-
-
3.0  
5.0  
0.5  
-
EB  
=150V  
=6.0V  
-
10  
5.0  
-
5.0  
-
-
175  
-
BV  
I =200mA  
250  
300  
C
V
V
V
h
h
h
h
I =1.0A, I =125mA  
-
-
-
40  
-
0.75  
1.4  
1.4  
-
-
-
-
40  
-
0.75  
1.4  
1.4  
-
C
B
B
I =1.0A, I =100mA  
-
C
V
=10V, I =1.0A  
-
40  
1.4  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CC  
CC  
CC  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =100mA  
C
=10V, I =500mA  
40 200  
-
-
FE  
FE  
FE  
C
=2.0V, I =1.0A  
-
-
8.0 80  
25 100  
8.0 80  
25 100  
C
=10V, I =1.0A  
10  
10  
-
-
-
C
f
C
=10V, I =200mA, f=5.0MHz  
10  
-
-
-
120  
-
10  
-
-
-
120  
-
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
120  
ob  
fe  
E
h
=30V, I =100mA, f=1.0kHz  
25 350  
C
t
t
t
I
=200V, I =1.0A, I =100mA, R =200Ω  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0  
4.0  
3.0  
-
-
-
-
3.0  
4.0  
3.0  
-
μs  
μs  
μs  
r
s
f
C
B1  
L
=200V, I =1.0A, I =I =100mA  
C
B1 B2  
=200V, I =1.0A, I =I =100mA  
B1 B2  
C
=100V  
350  
350  
350  
mA  
s/b  
R2 (22-June 2011)  
12

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