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2N2903

更新时间: 2024-02-23 21:23:28
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CENTRAL 晶体晶体管
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1页 86K
描述
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

2N2903 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W8
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):125JEDEC-95代码:TO-78
JESD-30 代码:O-MBCY-W8元件数量:2
端子数量:8最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.3 W
最大功率耗散 (Abs):1.2 W表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:1 V

2N2903 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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