是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.14 |
其他特性: | LOW NOISE | 配置: | SINGLE |
FET 技术: | JUNCTION | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN (315) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2612 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
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2N2613 | ETC | GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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2N2614 | ETC | GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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2N2615 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-18 |
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2N2616 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
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2N2619 | ASI | Silicon Controlled Rectifier, 7.4A I(T)RMS, 4700mA I(T), 600V V(DRM), 1 Element, TO-64, TO |
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