2N2411

更新时间： 2024-01-17 23:07:25

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CENTRAL		晶体小信号双极晶体管开关
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描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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2N2411 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-206AA
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

2N2411 数据手册

DATA SHEET

2N2411

2N2412

PNP SILICON TRANSISTOR

JEDEC TO-18 CASE

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2411, 2N2412 types are PNP Saturated Switching Transistors designed

for high speed switching applications.

MAXIMUM RATINGS:

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

5.0

100

0.5

1.2

CBO

CEO

EBO

Power Dissipation

Power Dissipation (T =25°C)

Operating and Storage

Junction Temperature

T ,T

-65 to +200

350

°C

J stg

Thermal Resistance

°C/W

146

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

2N2411

2N2412

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN MAX

UNITS

=15V

=15V, T =150°C

=5.0V

µA

CES

EBO

CBO

CEO

CE(SAT)

BE(SAT)

I =10µA

0.2

I =10mA

I =10mA, I =1.0mA

0.7

0.9

0.7

0.9

=0.5V, I =50µA

=0.5V, I =10mA

=0.5V, I =10mA, T =-55°C

=1.0V, I =50mA

120

1.4

=10V, I =10mA, f=100MHz

=5.0V, I =0, f=1.0MHz

=0.5V, I =0, f=1.0MHz

5.0

8.0

5.0

8.0

(CONTINUED ON REVERSE SIDE)

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