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2N2222

更新时间： 2024-02-27 13:47:28
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 526K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N2222 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：MO-041BB
JESD-30 代码：R-CDSO-N6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2N2222 数据手册

 浏览型号2N2222的Datasheet PDF文件第2页 
2N2221  
2N2222  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221, 2N2222  
types are silicon NPN epitaxial planar transistors  
designed for small signal, general purpose switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-18 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
60  
30  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
5.0  
I
800  
mA  
mW  
W
C
P
400  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
P
1.2  
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
438  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
146  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=50V  
-
10  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=50V, T =150°C  
A
=3.0V  
-
-
10  
10  
-
μA  
nA  
V
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
60  
30  
5.0  
-
CBO  
C
I =10mA  
-
V
CEO  
C
I =10μA  
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
-
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
-
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
f
V
=20V, I =20mA, f=100MHz  
250  
-
MHz  
pF  
pF  
T
CE  
CB  
EB  
C
C
C
V
V
=10V, I =0, f=100kHz  
8.0  
30  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=100kHz  
-
C
R1 (30-January 2012)  
12

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