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NESG2107M33-T3-A

更新时间： 2024-02-15 18:11:18

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体晶体管光电二极管 ISM频段放大器
页数	文件大小	规格书
4页	305K
描述
NECs NPN SILICON TRANSISTOR

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NESG2107M33-T3-A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20000 MHz

NESG2107M33-T3-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NEC's NPN SILICON TRANSISTOR

NESG2107M33

FEATURES

•

IDEAL FOR OSC., HIGH-GAIN AMPLIFICATION

APPLICATIONS

•

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY

FOR SIGE TRANSISTORS

•

3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

NESG2107M33-A

QUANTITY

SUPPLYING FORM

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

NESG2107M33-T3-A

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales ofﬁce.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =+25ºC)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATINGS

13.0

UNIT

5.0

1.5

100

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

130

150

Tstg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

California Eastern Laboratories

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与NESG2107M33-T3-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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