是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.21 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 3 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.07 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.015 A | FET 技术: | HETERO-JUNCTION |
最高频带: | KU BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-F4 |
JESD-609代码: | e6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.125 W | 最小功率增益 (Gp): | 11 dB |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET RF Small Signal |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE3503M04-T2 | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju |
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NE3503M04-T2 | RENESAS | KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
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NE3503M04-T2-A | CEL | NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
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NE3503M04-T2-A | RENESAS | NE3503M04-T2-A |
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NE3503M04-T2B-A | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju |
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NE3503M04-T2B-A | RENESAS | NE3503M04-T2B-A |
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