CD9014A

更新时间： 2024-09-23 21:53:35

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描述
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR

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CD9014A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

CD9014A 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR

CD9014

TO-92

CBE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

VCEO

VCBO

VEBO

Tj, Tstg

5.0

100

625

deg C

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

5.0

TYP

MAX

UNIT

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

VCEO

VCBO

VEBO

ICBO

IEBO

hFE

IC=1mA, IB=0

IC=100uA, IE=0

IE=100uA, IC=0

VCB=50V, IE=0

VEB=5V, IC=0

IC=1mA,VCE=5V

1000

0.30

1.0

Collector Emitter Saturation Voltage VCE(Sat) IC=100mA,IB=5mA

Emitter Base Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

Output Capacitance

VBE(Sat) IC=100mA,IB=5mA

Cob

VCB=10V,f=1MHz

VCE=5V,IC=10mA,

f=100MHz

3.50

MHz

Transition Frequency

125

Noise Figure

VCE=5V, IC=200uA

f=1KHz

4.0

hFE CLASSIFICATION

A : 60-150, B : 100-300, C : 200-600, D : 400-1000,

D1 : 400-630, D2 : 570-840, D3 : 760-1000, E : >800

Continental Device India Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CD9014E	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
CD9015	ETC	获取价格	PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
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