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CD828 PDF预览

CD828

更新时间： 2024-11-08 22:28:27
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
MONOLITHIC TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE CHIPS

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CD828 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DIE-3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP认证状态：Not Qualified
标称参考电压：6.55 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER电压温度Coeff-Max：0.0655 mV/ °C
最大电压容差：5.34%Base Number Matches：1

CD828 数据手册

 浏览型号CD828的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N821 THRU 1N829 AVAILABLE IN JANHC AND JANKC  
PER MIL-PRF-19500/159  
CD821  
thru  
• MONOLITHIC TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE CHIPS  
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE  
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N821 THRU 1N829  
CD829A  
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,  
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
l
= 2 µA @ 25°C & V = 3 Vdc  
R
R
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
Backside is not cathode  
and must be electrically isolated  
-55° TO +100°  
VOLTAGE  
TEMPERATURE TEMPERATURE  
CDI  
TYPE  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
MAXIMUM  
ZENER  
EFFECTIVE  
NUMBER  
CURRENT  
IMPEDANCE  
STABILITY  
COEFFICIENT  
T = Metallization Test Pad  
V
@ I  
I
Z
∆V  
ZT  
ZT  
ZT  
ZT  
ZT  
(Note 1)  
OHMS  
(Note 2)  
mV  
DESIGN DATA  
VOLTS  
mA  
% / °C  
CD821  
CD821A  
CD823  
CD823A  
CD825  
CD825A  
CD826  
CD827  
CD827A  
CD828  
CD829  
CD829A  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
6.2 - 6.9  
5.9 - 6.5  
5.9 - 6.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
15  
10  
15  
10  
15  
10  
15  
15  
10  
15  
15  
10  
96  
96  
48  
48  
19  
19  
20  
9
0.01  
0.01  
METALLIZATION:  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.001  
0.0005  
0.0005  
Top:  
C
A
(Cathode) ...................Al  
(Anode) ...................... Al  
Back: .......................................Au  
AL THICKNESS.........25,000 Å Min  
GOLD THICKNESS......4,000 Å Min  
CHIP THICKNESS. ..............10 Mils  
9
10  
5
5
CIRCUIT LAYOUT DATA:  
Backside must be electrically  
isolated.  
Backside is not cathode.  
For Zener operation cathode must  
be operated positive with respect  
to anode.  
NOTE 1  
NOTE 2  
Zener impedance is derived by superimposing on l A 60Hz rms a.c.  
ZT  
current equal to 10% of l  
ZT.  
The maximum allowable change observed over the entire temperature  
range i.e.,the diode voltage will not exceed the specified mV at any  
discrete temperature between the established limits, per JEDEC  
standard No.5.  
TOLERANCES: ALL  
Dimensions + 2 mils  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CD828E3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, Silicon, DIE-3
CD829 CDI-DIODE

获取价格

 		MONOLITHIC TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE CHIPS
CD829 MICROSEMI

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CD829-2 MICROSEMI

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CD82C237 INTERSIL

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 		CMOS High Performance Programmable DMA Controller

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