生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP-14 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.53 | Is Samacsys: | N |
系列: | HCT | JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 |
长度: | 19.56 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.004 A |
功能数量: | 1 | 输入次数: | 8 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
包装方法: | TUBE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 最大电源电流(ICC): | 0.04 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 42 ns | 传播延迟(tpd): | 42 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Gates | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6.67 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CD74HCT30E | TI |
完全替代 |
High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CD54HCT30H/3 | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, 8-INPUT NAND GATE, UUC14 | |
CD54HCT30H/3A | RENESAS |
获取价格 |
NAND Gate, HCT Series, 1-Func, 8-Input, CMOS | |
CD54HCT30M | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT32 | TI |
获取价格 |
High Speed CMOS Logic Quad 2-Input OR Gate | |
CD54HCT32E | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT32EN | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT32F | TI |
获取价格 |
High Speed CMOS Logic Quad 2-Input OR Gate | |
CD54HCT32F/3A | RENESAS |
获取价格 |
IC HCT SERIES, QUAD 2-INPUT OR GATE, CDIP14, Gate | |
CD54HCT32F3A | RENESAS |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT OR,HCT-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC | |
CD54HCT32F3A | TI |
获取价格 |
High-Speed CMOS Logic Quad 2-Input OR Gate |