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CD4081BE

更新时间： 2024-11-18 22:54:19

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德州仪器 - TI		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	225K
描述
CMOS AND GATES

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CD4081BE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP-14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	0.75
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	181019	Samacsys Pin Count：	14
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name：	N (R-PDIP-T14)	Samacsys Released Date：	2016-03-31 02:33:21
Is Samacsys：	N	系列：	4000/14000/40000
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14	JESD-609代码：	e4
长度：	19.3 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	AND GATE	最大I（ol）：	0.0068 A
功能数量：	4	输入次数：	2
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP14,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
包装方法：	TUBE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5/15 V	最大电源电流（ICC）：	0.15 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：	250 ns	传播延迟（tpd）：	250 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	18 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6.35 mm
Base Number Matches：	1

CD4081BE 数据手册

Data sheet acquired from Harris Semiconductor

SCHS057

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CD4081BE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CD4081BMT	TI	完全替代	CMOS AND GATES
CD4081BNSR	TI	完全替代	CMOS AND GATES

与CD4081BE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CD4081BEE4	TI	获取价格	CMOS AND Gates
CD4081BEX	RENESAS	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT AND,CMOS,DIP,14PIN,PLASTIC
CD4081BEX	ROCHESTER	获取价格	AND Gate, 4000/14000/40000 Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, PDIP14, PACKAGE-14
CD4081BEX98	RENESAS	获取价格	CD4081BEX98
CD4081BF	TI	获取价格	CMOS AND GATES
CD4081BF	RENESAS	获取价格	4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDIP14
CD4081BF	ROCHESTER	获取价格	AND Gate, 4000/14000/40000 Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14, PACKAGE-14
CD4081BF3A	TI	获取价格	CMOS AND GATES
CD4081BF3A	RENESAS	获取价格	IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT AND,CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC
CD4081BF3AS2534	TI	获取价格	CMOS AND Gates