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CD4023BF3AS2534

更新时间: 2024-09-27 02:58:19
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 524K
描述
CMOS NAND GATES

CD4023BF3AS2534 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:14
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.72系列:4000/14000/40000
JESD-30 代码:R-GDIP-T14JESD-609代码:e0
逻辑集成电路类型:NAND GATE功能数量:3
输入次数:3端子数量:14
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED传播延迟(tpd):250 ns
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):18 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

CD4023BF3AS2534 数据手册

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The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types  
are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line  
ceramic packages (F3A suffix), 14-lead  
dual-in-line plastic packages (E suffix), 14-lead  
small-outline packages (M, MT, M96, and NSR  
suffixes), and 14-lead thin shrink small-outline  
packages (PWR suffix). The CD4011B and  
CD4023Btypes also are supplied in 14-lead thin  
shrink small-outline packages (PW suffix).  
Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  

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