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CD4023AFB

更新时间: 2024-11-04 12:54:15
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德州仪器 - TI 栅极逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 371K
描述
CMOS NAND GATES

CD4023AFB 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:CERAMIC, DIP-14针数:14
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.88Is Samacsys:N
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-GDIP-T14
负载电容(CL):15 pF逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.0006 A功能数量:3
输入次数:3端子数量:14
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP14,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5/10 VProp。Delay @ Nom-Sup:75 ns
传播延迟(tpd):100 ns认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.08 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):12 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

CD4023AFB 数据手册

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Data sheet acquired from Harris Semiconductor  
SCHS313  

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